중국을 대표하는 메모리반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 제5세대 D램 기술 공정인 ‘G5 플랫폼’의 양산을 공식 발표했다. 새 공정을 적용한 플랫폼에서 칩 한 개에 더 많은 메모리를 담고 실리콘 웨이퍼 한 장에서 더 많은 개별 칩을 생산하는 기술적 성과를 달성했다는 것이다. 이런 가운데 적어도 범용 메모리 분야에서는 중국의 생산이 늘어 부족하지 않다는 대만 PC 기업 진단도 나왔다. 20일 로이터통신 등에 따르면 CXMT는 중국 안후이성 허페이에서 열린 세계제조업대회에서 G5 플랫폼의 양산 돌입을 선언했다. 뤄샤오둥 CXMT 부사장 겸 마케팅센터장은 자사의 공정 역량이 현재 업계에서 양산되는 최첨단 공정과 대등한 수준에 도달했다고 주장했다. CXMT는 메모리 배열의 활성영역 반피치를 11.95㎚(나노미터·10억분의 1m)까지 줄였다고 밝혔다. 여러 차례 노광과 식각을 반복해 미세 회로를 형성하는 ‘쿼드러플 패터닝’ 기술을 적용한 결과다. 다만 11.95나노는 특정 핵심 구조의 측정값이므로 삼성전자와 SK하이닉스·마이크론의 ‘12나노급’ 공정 명칭과 직접 비교하기는 어렵다는 해석도 나온다. 메모리 집적도는 크게 높아졌다. 모바일 릴게임 바다이야기 고래 CXMT에 따르면 8Gb 제품으로 환산한 웨이퍼당 잠재 다이 수는 4세대 플랫폼보다 최소 50% 증가했다. 칩당 원가와 전력 효율을 개선할 수 있는 핵심 경쟁력이다. 다만 이는 불량 판정 전 총 다이 수를 비교한 것으로 실제 출하량을 결정하는 수율과는 차이가 난다. CXMT는 구체적인 수율과 월 생산량은 공개하지 않았다. CXMT는 G5 플랫폼으로 생산한 24Gb(기가비트) LPDDR5X 제품 2종도 공개했다. 24Gb는 3GB(기가바이트)에 해당하는 단일 D램 다이의 용량으로 기존 16Gb 제품보다 50% 크다. 스마트폰과 휴대용 전자기기에 사용하는 저전력 D램으로 서로 다른 기기 설계에 대응하는 두 가지 패키지로 공급된다. 회사 측은 두 제품이 규모 양산 단계에 들어갔다고 밝혔다. CXMT는 경쟁자들이 다소 힘을 뺀 범용 D램에서 가파른 성장세를 보이고 있다. 트렌드포스에 따르면 CXMT는 올해 2분기 글로벌 D램 매출 기준 .유율 9.5%를 기록해 삼성전자·SK하이닉스·마이크론에 이어 4위에 올랐다. 최근 LPDDR6의 양산과 상용화도 발표했으며 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E는 시험생산에 들어간 것으로 알려졌다 모바일 바다이야기게임하는곳 . CXMT를 필두로 한 중국 업체들이 DDR4와 일반 DDR5 등 범용 제품 공급을 늘리면 기존 메모리 3사의 가격 방어력이 약화할 수 있다. 글로벌 3사가 HBM과 고용량 서버용 DDR5에 생산능력을 집중한 사이 중국 업체들이 범용 시장의 빈자리를 채우는 구조다. 대만 경제일보에 따르면 대만 PC 업체 에이서의 천쥔성 회장은 19일 타이베이에서 열린 포럼에서 “PC용 메모리는 중국의 생산능력이 오르면서 부족하지 않다”고 주장했다. 그는 “LPDDR5나 DDR5 9600 같은 일부 부품은 DDR4처럼 공급 과잉 상태로 판매자는 많지만 구매자는 적다”고 지적했다. 그는 “부품 가격 하락이 최종 제품에 반영되면 내년 하반기에 가격 상승이 멈출 수 있다”고 추정했다. 다만 이는 범용 메모리를 구매하는 PC 제조업체의 시각으로 일부 LPDDR5와 고속 DDR5는 여전히 공급이 빠듯한 상황이다. 천 회장 역시 “가격은 현재도 높은 수준이지만 예전보다 변동 폭이 커진 것”이라고 덧붙였다. 씨티는 글로벌 D램 수요가 2027년 30%, 2028년 35% 증가하는 반면 공급 증가율은 각각 19%, 22%에 그칠 것으로 예상했다. AI의 지속 학습 확산으로 HBM과 서버용 DDR5 수요가 빠르게 늘어날 것이라는 분석이다. %, 2028년 3